პოლიილიკონის ფიზიკური და ქიმიური თვისებები

პოლისილიკონს აქვს ნაცრისფერი მეტალის ბზინვარება და სიმკვრივე 2,32~2,34 გ/სმ3. დნობის წერტილი 1410℃. დუღილის წერტილი 2355℃. ხსნადი ფტორმჟავას და აზოტმჟავას ნარევში, უხსნადი წყალში, აზოტმჟავასა და მარილმჟავაში. მისი სიმტკიცე არის გერმანიუმსა და კვარცს შორის. ოთახის ტემპერატურაზე მტვრევადია და ჭრის დროს ადვილად იშლება. 800-ზე ზევით გაცხელებისას ხდება დრეკადი℃და აჩვენებს აშკარა დეფორმაციას 1300-ზე℃. ოთახის ტემპერატურაზე არააქტიურია და მაღალ ტემპერატურაზე რეაგირებს ჟანგბადთან, აზოტთან, გოგირდთან და ა.შ. მაღალტემპერატურულ გამდნარ მდგომარეობაში მას აქვს დიდი ქიმიური აქტივობა და შეუძლია რეაგირება თითქმის ნებისმიერ მასალასთან. მას აქვს ნახევარგამტარული თვისებები და არის ძალიან მნიშვნელოვანი და შესანიშნავი ნახევარგამტარული მასალა, მაგრამ მინარევების კვალი შეიძლება დიდად იმოქმედოს მის გამტარობაზე. იგი ფართოდ გამოიყენება ელექტრონიკის ინდუსტრიაში, როგორც ძირითადი მასალა ნახევარგამტარული რადიოების, მაგნიტოფონების, მაცივრების, ფერადი ტელევიზორების, ვიდეო ჩამწერების და ელექტრონული კომპიუტერების წარმოებისთვის. იგი მიიღება მშრალი სილიციუმის ფხვნილისა და მშრალი წყალბადის ქლორიდის გაზის ქლორებით გარკვეულ პირობებში, შემდეგ კი კონდენსირებით, გამოხდით და შემცირებით.

პოლისილიციუმი შეიძლება გამოყენებულ იქნას როგორც ნედლეული ერთკრისტალური სილიკონის გასაყვანად. განსხვავება პოლისილიციუმსა და ერთკრისტალურ სილიციუმს შორის ძირითადად ფიზიკურ თვისებებში ვლინდება. მაგალითად, მექანიკური თვისებების, ოპტიკური თვისებების და თერმული თვისებების ანიზოტროპია გაცილებით ნაკლებად აშკარაა, ვიდრე ერთკრისტალური სილიციუმი; ელექტრული თვისებების თვალსაზრისით, პოლისილიციუმის კრისტალების გამტარობა ასევე გაცილებით ნაკლებად მნიშვნელოვანია, ვიდრე ერთკრისტალური სილიციუმი და თითქმის არ აქვს გამტარობა. ქიმიური აქტივობის თვალსაზრისით, მათ შორის განსხვავება ძალიან მცირეა. პოლისილიციუმი და ერთკრისტალური სილიციუმი შეიძლება განვასხვავოთ ერთმანეთისგან გარეგნულად, მაგრამ რეალური იდენტიფიკაცია უნდა განისაზღვროს ბროლის სიბრტყის მიმართულების, გამტარობის ტიპისა და კრისტალის წინაღობის ანალიზით. პოლისილიციუმი არის პირდაპირი ნედლეული ერთკრისტალური სილიციუმის წარმოებისთვის და არის ძირითადი ელექტრონული საინფორმაციო მასალა თანამედროვე ნახევარგამტარული მოწყობილობებისთვის, როგორიცაა ხელოვნური ინტელექტი, ავტომატური კონტროლი, ინფორმაციის დამუშავება და ფოტოელექტრული კონვერტაცია.